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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利一种GaN基HEMT器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582726B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210219287.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种GaN基HEMT器件及其制作方法是由范亚明;冯家驹;张晓东;于国浩;邓旭光;张宝顺设计研发完成，并于2022-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN基HEMT器件及其制作方法在说明书摘要公布了：提供了一种GaN基HEMT器件及其制作方法，所述制作方法包括：在衬底上制作形成h‑BN薄膜；在h‑BN薄膜上制作形成金刚石薄膜；在金刚石薄膜上制作形成GaN基HEMT外延结构；在GaN基HEMT外延结构上制备电极；机械剥离所述衬底，以获得所述GaN基HEMT器件。本发明通过直接在传统衬底上原位生长形成h‑BN薄膜金刚石薄膜GaN基HEMT外延结构的器件结构，然后再利用h‑BN薄膜的可剥离特性以剥离掉传统衬底，使器件能够直接利用热导率较高的金刚石薄膜作为热沉衬底进行散热，有效降低了器件温度，进而提高器件的可靠性；而且剥离传统衬底过程中还避免了对器件造成的损伤，有利于提高器件良率；此外，所述制作方法简单便捷且成本较低。

本发明授权一种GaN基HEMT器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基HEMT器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 利用金属有机化合物化学气相沉积设备在衬底上制作形成h-BN薄膜； 在制作完成所述h-BN薄膜之后，直接在同一金属有机化合物化学气相沉积设备中于所述h-BN薄膜上制作形成金刚石薄膜； 在所述金刚石薄膜上制作形成GaN基HEMT外延结构；其中，所述金刚石薄膜于所述GaN基HEMT外延结构直接接触； 在所述GaN基HEMT外延结构上制备电极； 机械剥离所述衬底，以获得所述GaN基HEMT器件； 其中，所述在衬底上制作形成h-BN薄膜的方法具体包括： 在850℃~950℃下对所述衬底进行表面氮化处理，以在所述衬底表面形成非晶的AlxNy层； 以三乙基硼和氨气作为载气，温度为850℃~950℃、ⅤⅢ比为600~1500、常压的条件下，利用金属有机化合物化学气相沉积设备在所述AlxNy层上生长形成所述h-BN薄膜； 其中，所述在所述h-BN薄膜上制作形成金刚石薄膜的方法具体包括： 在以甲烷和氢气作为载气，并且甲烷和氢气的气体流量比例为1：20，温度为1100℃的条件下，利用同一金属有机化合物化学气相沉积设备在所述h-BN薄膜的背向所述衬底的表面上生长形成厚度为100μm~200μm的金刚石薄膜30； 抛光所述金刚石薄膜表面外延层，并进行清洗后利用氮气吹干。

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