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龙图腾网获悉无锡先瞳半导体科技有限公司申请的专利具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566548B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210111178.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管及其制备方法是由张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、第一沟槽区、漏极以及源极；所述漂移区与所述衬底区相接，以所述衬底区指向所述漂移区的方向为上方，所述基体区和所述源区依次设置在所述漂移区的上方；所述第一沟槽区设置在所述基体区侧方，并分别与所述漂移区、所述基体区和所述源区相接；所述控制栅和所述屏蔽栅由上至下依次设置在所述第一沟槽区内，且经所述第一绝缘层分隔；所述控制栅通过所述第一绝缘层分别与所述基体区和所述源区相接，所述屏蔽栅通过所述绝缘层与所述漂移区相接；所述N型源区设置于所述基体区的上方，所述P型源区设置于所述基体区与所述第一沟槽区相对的侧方。

本发明授权具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底区1、漂移区2、基体区3、源区4、第一沟槽区5、漏极6以及源极7； 所述漂移区2与所述衬底区1相接，以所述衬底区1指向所述漂移区2的方向为上方，所述基体区3和所述源区4依次设置在所述漂移区2的上方； 所述第一沟槽区5设置在所述基体区3侧方，并分别与所述漂移区2、所述基体区3和所述源区4相接； 所述第一沟槽区5包括屏蔽栅51、控制栅52、第一绝缘层53和金属栅极；所述控制栅52和所述屏蔽栅51由上至下依次设置在所述第一沟槽区5内，且经所述第一绝缘层53分隔；所述控制栅52通过所述第一绝缘层53分别与所述基体区3和所述源区4相接，所述屏蔽栅51通过所述绝缘层与所述漂移区2相接； 所述源区4由N型源区41以及P型源区42组成，且所述源区4连接所述基体区3； 所述N型源区41设置于所述基体区3的上方，所述P型源区42设置于所述基体区3与所述第一沟槽区5相对的侧方；所述源极7连接所述源区4；所述漏极6设置在所述衬底区1下方；所述金属栅极设在所述控制栅52上方； 还包括：第二沟槽区8； 所述第二沟槽区8设置在所述基体区3与所述第一沟槽区5相对的侧方，所述第二沟槽区8内设置有第二绝缘层81、所述P型源区42和所述源极7； 所述第二绝缘层81和所述源极7由下至上依次设置在所述第二沟槽区8内； 所述第二绝缘层81的下方连接所述漂移区2；所述第二绝缘层81的侧方连接所述漂移区2； 所述源极7的下方连接所述第二绝缘层81；所述P型源区42设置于所述基体区3以及所述源极7之间； 所述源极7的横截面为“L”型，所述源极7包围所述源区4； 以离子注入方式在所述基体区3的侧方形成P型源区42；所述P型源区42的上方与所述N型源区41连接。

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