台湾积体电路制造股份有限公司陈建盈获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566502B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210073446.1，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权存储器件及其制造方法是由陈建盈;杨耀仁;黄家恩设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及存储器件及其制造方法。公开了一种存储器件。存储器件包括第一晶体管以及电耦合到第一晶体管的第一电容器，第一晶体管和第一电容器形成第一一次性可编程OTP存储单元。第一电容器具有第一底部金属端子、第一顶部金属端子、以及介于第一底部金属端子与第一顶部金属端子之间的第一绝缘层。第一绝缘层包括第一部分、与第一部分分开的第二部分、以及在第一部分和第二部分之间垂直地延伸的第三部分。第一底部金属端子位于第一绝缘层的第一部分的正下方并与该第一部分接触。
本发明授权存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，包括： 第一晶体管；以及 电耦合到所述第一晶体管的第一电容器，所述第一晶体管和所述第一电容器形成第一一次性可编程OTP存储单元； 其中，所述第一电容器具有第一底部金属端子、第一顶部金属端子、以及介于所述第一底部金属端子与所述第一顶部金属端子之间的第一绝缘层； 其中，所述第一绝缘层包括第一部分、与所述第一部分分开的第二部分、以及在所述第一部分和所述第二部分之间垂直地延伸的第三部分；并且 其中，所述第一底部金属端子位于所述第一绝缘层的第一部分的正下方并与该第一部分接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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