长江存储科技有限责任公司韩玉辉获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种三维存储器件、制造方法及存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551231B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210049580.8，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种三维存储器件、制造方法及存储器系统是由韩玉辉;张坤设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维存储器件、制造方法及存储器系统在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种三维存储器件、制造方法及存储器系统，所述方法包括：提供基底；基底包括衬底、位于衬底上由栅极层和绝缘层交替层叠的堆叠结构和贯穿所述堆叠结构的沟道结构；所述栅极层包括位于所述堆叠结构顶部的顶部选择栅极层；所述沟道结构包括沿径向从外向内依次排列的存储器层、沟道层和沟道氧化物；形成贯穿所述顶部选择栅极层的多个顶部选择栅极切口；对所述顶部选择栅极切口进行填充以形成顶部选择栅极切线；所述顶部选择栅极切线将所述堆叠结构分为多个存储区；其中，所述顶部选择栅极切线部分地穿过第一沟道结构，并与所述第一沟道结构中的所述沟道氧化物接触；所述第一沟道结构为位于不同所述存储区中且相邻的沟道结构。
本发明授权一种三维存储器件、制造方法及存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供基底；所述基底包括衬底、位于所述衬底上由栅极层和绝缘层交替层叠的堆叠结构和贯穿所述堆叠结构的沟道结构；所述栅极层包括位于所述堆叠结构顶部的顶部选择栅极层；所述沟道结构包括沿径向从外向内依次排列的存储器层、沟道层和沟道氧化物； 形成贯穿所述顶部选择栅极层的多个顶部选择栅极切口； 对所述顶部选择栅极切口进行填充以形成顶部选择栅极切线；所述顶部选择栅极切线将所述堆叠结构分为多个存储区；其中，所述顶部选择栅极切线部分地穿过第一沟道结构，并与所述第一沟道结构中的所述沟道氧化物接触；所述第一沟道结构为位于不同所述存储区中且相邻的沟道结构。
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