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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利随机存取存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496024B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210016544.1，技术领域涉及：G11C11/413；该发明授权随机存取存储器件及其制造方法是由黄健豪;吴正一;姜慧如;林仲德设计研发完成，并于2022-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本随机存取存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种随机存取存储器件，包含包括M条主字线和R条替换字线的存储体、行列解码器和冗余熔丝元件阵列。按每字线位故障计数的降序生成排序的主要故障位计数列表。按每字线位故障计数的升序生成排序的替换故障位计数列表。用替换字线自列表的从上到下替换主字线，直到主要故障位计数等于替换故障位计数或直到所有替换字线都用完为止。可选地，可以在替换过程之前按照字线地址的升序或降序对排序的主要故障位计数列表进行重新排序。本发明的实施例还提供了一种制造随机存取存储器件的方法。

本发明授权随机存取存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造随机存取存储器件的方法，包括： 提供半导体器件，所述半导体器件包括包含M条主字线和R条替换字线的存储体、行列解码器和冗余熔丝元件阵列； 生成排序的主要故障位计数列表，所述主要故障位计数列表按每字线位故障计数的降序将所述M条主字线中的地址和所述每字线位故障计数制成表格； 生成排序的替换故障位计数列表，所述替换故障位计数列表按所述每字线位故障计数的升序将所述R条替换字线的地址和所述每字线位故障计数制成表格； 执行冗余熔丝编程过程，其中，所述冗余熔丝元件阵列内的第一冗余熔丝元件被编程以用在所述排序的替换故障位计数列表中具有相同列表顺序号的相应字线逻辑替换在所述排序的主要故障位计数列表上的主字线，直到主要故障位计数等于替换故障位计数或直到所述R条替换字线的所有都用于替换所述排序的主要故障位计数列表上的R条最顶部主字线，其中，所述随机存取存储器件包括位于替换存储位阵列内的替代存储单元，所述替换存储位阵列被配置为由相应的存取线对单独访问；以及 对所述冗余熔丝元件阵列内的第二冗余熔丝元件进行编程，使得编程的所述第二冗余熔丝元件用所述替代存储单元的相应一个逻辑替换位于主存储器阵列区域内且连接到未被相应替换字线逻辑替换的相应主字线的每个故障存储位。

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