深圳市千屹芯科技有限公司祁金伟获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市千屹芯科技有限公司申请的专利芯片封装结构与电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420649B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111583534.8，技术领域涉及：H10W70/68；该发明授权芯片封装结构与电子器件是由祁金伟;彭虎设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构与电子器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种芯片封装结构与电子器件。该芯片封装结构包括依次叠置的基板、DBC基板和开关器件，其中，基板包括基岛和绝缘部，基岛用于支撑DBC基板，开关器件包括本体结构、源极、漏极和栅极，源极和栅极位于本体结构的远离DBC基板的表面上，漏极位于本体结构与DBC基板接触的表面上且与DBC基板连接，源极与基岛通过引线连接。该芯片封装结构中，在没有改变开关器件源极、漏极和栅极位置的情况下，通过引线将源极和基岛连接，将开关器件的源极置于芯片封装结构的底部，使得源极和漏极之间的电阻减小，从而降低了寄生电感，进而解决了现有技术中的封装结构寄生电感大，不能满足射频应用需求的问题。
本发明授权芯片封装结构与电子器件在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括依次叠置的基板、DBC基板和开关器件，其中，所述基板包括至少一个基岛和绝缘部，所述绝缘部围设在所述基岛的侧壁上，所述基岛用于支撑所述DBC基板，所述开关器件包括本体结构、源极、漏极和栅极，所述源极和所述栅极位于所述本体结构的远离所述DBC基板的表面上，所述漏极位于所述本体结构与所述DBC基板接触的表面上且与所述DBC基板连接，所述源极与所述基岛通过引线连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市千屹芯科技有限公司，其通讯地址为：518100 广东省深圳市宝安区福海街道和平社区蚝业路4号A133；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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