买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉至微半导体(上海)有限公司申请的专利一种有效控制边缘蚀刻过程的晶圆清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420539B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111674421.9，技术领域涉及：H10P70/00；该发明授权一种有效控制边缘蚀刻过程的晶圆清洗方法是由邓信甫;陈丁堃;丁立;徐铭设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种有效控制边缘蚀刻过程的晶圆清洗方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种有效控制边缘蚀刻过程的晶圆清洗方法，涉及到晶圆清洗技术领域，包括S1、控制晶圆旋转速度为第一速度，向晶圆表面喷洒第一化学药液，并控制晶圆三维方向表面的温度，然后再通过第一超纯水移除晶圆表面的第一化学药液；S2、控制晶圆旋转速度为第二速度，向晶圆表面喷洒第二化学药液，然后再喷洒第二超纯水移除第二化学药液；S3、向晶圆表面通入异丙醇和氮气，形成晶圆表面的初步干燥，并在晶圆表面形成纳米级薄膜；S4、向晶圆表面通入高温的异丙醇，对已形成异丙醇纳米级薄膜的晶圆表面进行异丙醇的堆积。本发明中，清洗过程中控制晶圆的三维方向表面的温度，可以有效的去除晶圆表面及边缘区域的膜层。

本发明授权一种有效控制边缘蚀刻过程的晶圆清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种有效控制边缘蚀刻过程的晶圆清洗方法，其特征在于，包括： S1、控制晶圆旋转速度为第一速度，向所述晶圆表面喷洒第一化学药液，并控制所述晶圆三维方向表面的温度，然后再通过第一超纯水移除所述晶圆表面的第一化学药液； S2、控制所述晶圆旋转速度为第二速度，向所述晶圆表面喷洒第二化学药液，然后再喷洒第二超纯水移除所述第二化学药液； S3、向所述晶圆表面通入异丙醇和氮气，形成所述晶圆表面的初步干燥，并在所述晶圆表面形成纳米级薄膜； S4、向所述晶圆表面通入高温的异丙醇，对已形成异丙醇纳米级薄膜的晶圆表面进行异丙醇的堆积； 还包括晶圆旋转平台，通过非接触式的方式将所述晶圆夹持在所述晶圆承载平台上； 所述晶圆承载平台的中部具有氮气喷嘴，所述晶圆承载平台上相对于所述晶圆的内径区域的34位置设有若干倾斜的喷流孔，且所述喷流孔由下至上向远离所述氮气喷嘴的方向倾斜； 设置的所述喷流孔可与外部的空气动力组件连接，用于晶圆下表面提供热气流。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人至微半导体(上海)有限公司，其通讯地址为：200241 上海市闵行区紫海路170号1幢3层03室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。