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龙图腾网获悉昆山龙腾光电股份有限公司;北京大学深圳研究生院申请的专利阵列基板及制作方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114402430B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180004925.1，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权阵列基板及制作方法、显示面板是由张盛东;周晓梁;廖聪维;林清平;杨欢;邹忠飞;钟德镇设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及制作方法、显示面板在说明书摘要公布了：一种阵列基板及制作方法、显示面板，该制作方法包括：在基底上形成扫描线和栅极；在基底上形成覆盖扫描线和栅极的第一绝缘层；在第一绝缘层的上方形成金属氧化物半导体层；金属氧化物半导体层包括源极、漏极以及有源层；在金属氧化物半导体层的上表面涂布光敏材料层；以第一金属层为掩模板，从基底的背面对光敏材料层进行光刻并形成沟道保护层；对金属氧化物半导体层进行导体化处理，使源极和漏极被导体化；在第一绝缘层的上方形成数据线；在第一绝缘层的上方形成像素电极。沟道保护层采用光敏材料，在制作沟道保护层时不会对有源层的性能造成影响；从基底的背面对光敏材料层进行光刻，工艺简单，栅极与源漏极基本没有重叠区域，寄生电容更小。

本发明授权阵列基板及制作方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底10； 在所述基底10上方形成第一金属层11，对所述第一金属层11进行蚀刻，所述第一金属层11形成图案化的扫描线111和栅极112，所述栅极112与所述扫描线111电性连接； 在所述基底10上方形成覆盖所述扫描线111和所述栅极112的第一绝缘层101； 在所述第一绝缘层101的上方形成金属氧化物半导体层12； 在对所述金属氧化物半导体层12进行蚀刻前，先在所述金属氧化物半导体层12的上表面涂布光敏材料层13； 对所述光敏材料层13进行第一次光刻，所述光敏材料层13形成蚀刻阻挡层130； 以所述蚀刻阻挡层130为遮挡对所述金属氧化物半导体层12进行蚀刻，所述金属氧化物半导体层12形成图案化的源极121、漏极122以及有源层123，所述源极121和所述漏极122通过所述有源层123导电连接； 以所述栅极112为遮挡，从所述基底10远离所述光敏材料层13一侧对所述光敏材料层13进行第二次光刻，所述光敏材料层13形成图案化的沟道保护层131； 以所述沟道保护层131为遮挡，对所述金属氧化物半导体层12进行导体化处理，所述金属氧化物半导体层12对应所述源极121和所述漏极122的区域被导体化； 在所述第一绝缘层101的上方形成第二金属层14，对所述第二金属层14进行蚀刻并形成图案化的数据线141，所述数据线141与所述源极121导电连接； 在所述第一绝缘层101的上方形成像素电极124，所述像素电极124与所述漏极122导电连接。

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