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南方科技大学刘旭获国家专利权

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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一种封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114400188B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210041696.7,技术领域涉及:H10W74/01;该发明授权一种封装结构及其制作方法是由刘旭;赵旭;叶怀宇;张国旗设计研发完成,并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

一种封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了:本申请提供了一种封装结构及其制作方法,涉及芯片封装技术领域。首先基于铜基板设置第一连接层,然后基于第一连接层贴装芯片,再对第一连接层与芯片进行烧结,以实现互连,再基于芯片表面的键合位置设置第二连接层,并对第二连接层与芯片进行烧结,最后利用键合线分别连接第二连接层与铜基板的预设位置,其中,第一连接层、第二连接层以及键合线的制作材料中均包括铜质材料。本申请提供的封装结构及其制作方法具有键合压力更小,稳定性更强的优点。

本发明授权一种封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种封装结构制作方法,其特征在于,所述封装结构制作方法包括: 基于铜基板设置第一连接层; 基于所述第一连接层贴装芯片; 对所述第一连接层与所述芯片进行烧结,以实现互连; 基于所述芯片表面的键合位置设置第二连接层; 对所述第二连接层与所述芯片进行烧结; 利用键合线分别连接所述第二连接层与所述铜基板的预设位置; 其中,所述第一连接层、所述第二连接层以及所述键合线的制作材料中均包括铜质材料; 在对所述第二连接层与所述芯片进行烧结的步骤之前,所述方法还包括: 基于所述第二连接层的表面设置缓冲层,以使所述缓冲层盖设于所述第二连接层的表面,所述缓冲层采用Teflon胶带;其中,所述缓冲层在所述第二连接层为铜膏时设置于其表面; 所述对所述第一连接层与所述芯片进行烧结及对所述第二连接层与所述芯片进行烧结的步骤包括: 在200℃~300℃、烧结压力为0MPa~30MPa的防氧化环境中烧结1min~30min;或 在200℃~300℃的防氧化环境中烧结1min~90min; 在利用键合线分别连接所述第二连接层与所述铜基板的预设位置时,持续使用H2、H2Ar或H2N2混合气进行保护。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人南方科技大学,其通讯地址为:518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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