爱思开海力士有限公司李杲炫获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利具有与接触插塞侧表面接触的支撑图案的三维半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388521B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110546462.3，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权具有与接触插塞侧表面接触的支撑图案的三维半导体装置是由李杲炫;金在泽;郑蕙英设计研发完成，并于2021-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有与接触插塞侧表面接触的支撑图案的三维半导体装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有与接触插塞侧表面接触的支撑图案的三维半导体装置。一种半导体装置包括：基板，其具有单元区域和通孔区域；设置在基板上的晶体管和逻辑互连件；下部绝缘层，其覆盖晶体管和逻辑互连件；下部导电层，其在单元区域中位于下部绝缘层上；支撑图案，其在通孔区域中设置在下部绝缘层上；下部通孔插塞，其具有与支撑图案接触的侧表面和与逻辑互连件接触的底表面；字线层叠，其在单元区域中设置在下部导电层上；介电层层叠，其在通孔区域中设置在支撑图案上；垂直沟道柱，其穿透字线层叠以连接到下部导电层；以及上部通孔插塞，其穿透介电层层叠以与下部通孔插塞垂直对准。
本发明授权具有与接触插塞侧表面接触的支撑图案的三维半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括： 基板，所述基板具有单元区域和通孔区域； 晶体管和逻辑互连件，所述晶体管和所述逻辑互连件设置在所述基板上； 下部绝缘层，所述下部绝缘层覆盖所述晶体管和所述逻辑互连件； 下部导电层，所述下部导电层在所述单元区域中位于所述下部绝缘层上； 支撑图案，所述支撑图案在所述通孔区域中设置在所述下部绝缘层上； 下部通孔插塞，所述下部通孔插塞在所述通孔区域中具有与所述支撑图案接触的侧表面和与所述逻辑互连件接触的底表面； 字线层叠，所述字线层叠在所述单元区域中设置在所述下部导电层上； 介电层层叠，所述介电层层叠在所述通孔区域中设置在所述支撑图案和所述下部绝缘层上； 垂直沟道柱，所述垂直沟道柱在所述单元区域中穿透所述字线层叠以连接到所述下部导电层；以及 上部通孔插塞，所述上部通孔插塞在所述通孔区域中穿透所述介电层层叠以与所述下部通孔插塞在垂直方向上对准。
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