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龙图腾网获悉无锡先瞳半导体科技有限公司申请的专利三维隔离型超结结构场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335140B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111547163.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权三维隔离型超结结构场效应晶体管及其制备方法是由张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维隔离型超结结构场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请是关于一种三维隔离型超结结构场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、沟槽绝缘层、源极、漏极、金属栅极、P型超结柱以及三维绝缘层；P型超结柱以及漂移区沿着第一方向设置在衬底区上，三维绝缘层设置在P型超结柱及漂移区之间；基体区设置在漂移区上方，使得基体区的顶面与P型超结柱的顶面平齐；源区包括P型源区和N型源区；源区设置在基体区与P型超结柱上方；控制栅和屏蔽栅由上至下依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区、源区和P型超结柱相接；源极设置在源区上方；漏极设置在衬底区下方；金属栅极设在控制栅上方。本申请提供的方案，能够有效降低晶体管的导通电阻。

本发明授权三维隔离型超结结构场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维隔离型超结结构场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底区1、漂移区2、基体区3、源区4、屏蔽栅5、控制栅6、沟槽绝缘层7、源极、漏极8、金属栅极、P型超结柱9以及三维绝缘层10； 所述P型超结柱9以及所述漂移区2沿着第一方向设置在所述衬底区1上，所述三维绝缘层10设置在所述P型超结柱9及所述漂移区2之间，将所述P型超结柱9与所述漂移区2隔离；所述基体区3设置在所述漂移区2上方，使得所述基体区3的顶面与所述P型超结柱9的顶面平齐，所述基体区3的顶面和所述P型超结柱9的顶面均与所述源区的底面相接，所述P型超结柱9的底面和所述漂移区2的底面直接与所述衬底区1相接； 所述源区4包括相互平行设置的P型源区41和N型源区42；所述源区设置在所述基体区3与所述P型超结柱9上方； 所述控制栅6和所述屏蔽栅5由上至下依次设置在所述漂移区2的侧方，并通过所述绝缘层7分别与所述漂移区2、所述基体区3、所述源区4和所述P型超结柱9相接，所述屏蔽栅5的底面与所述衬底区1相接，所述屏蔽栅5的掺杂类型为P型掺杂； 所述源极设置在所述源区4上方；所述漏极8设置在所述衬底区1下方；所述金属栅极设在所述控制栅6上方； 所述第一方向为所述控制栅6的长度方向。

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