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龙图腾网获悉昆山龙腾光电股份有限公司申请的专利阵列基板及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335019B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111634981.1，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权阵列基板及其制作方法是由钟德镇;蒋隽;黄丽玉设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阵列基板和阵列基板的制作方法，阵列基板包括：扫描线、栅极和栅极绝缘层；形成在栅极绝缘层上方的第一半导体层和导电连接线；形成在栅极绝缘层上方的蚀刻阻挡部，蚀刻阻挡部位于第一半导体层的上方；形成在栅极绝缘层上方的源极、漏极和数据线，源极、漏极以及蚀刻阻挡部共同覆盖第一半导体层；数据线包括多个第一导电段和多个第二导电段，第一导电段均位于相邻的两根扫描线之间，第二导电段的一端分别与第一导电段电性连接，第二导电段的另一端跨过扫描线与另一第一导电段电性连接，相邻的两根第二导电段分别与导电连接线电性连接。本发明的阵列基板具备数据线断线后自动修复的功能。

本发明授权阵列基板及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括： 基底11； 形成在所述基底11上方的多根扫描线121和多个栅极122，各所述扫描线121分别与各所述栅极122电性连接； 覆盖在所述扫描线121与所述栅极122上方的栅极绝缘层13； 形成在所述栅极绝缘层13上方的第一半导体层141和导电连接线142a，所述第一半导体层141与所述栅极122对应设置； 形成在所述栅极绝缘层13上方的蚀刻阻挡层151，所述蚀刻阻挡层151覆盖所述第一半导体层141； 形成在所述栅极绝缘层13上方的源极171、漏极172和数据线173，所述源极171与所述第一半导体层141连接，所述漏极172与所述第一半导体层141连接，所述数据线173与所述源极171电性连接，所述第一半导体层141位于所述源极171与所述漏极172之间； 所述数据线173位于所述导电连接线142a上方，所述数据线173包括多个第一导电段1731和多个第二导电段1732，各所述第一导电段1731均位于相邻的两根所述扫描线121之间，所述第一导电段1731的两端分别与相邻的两个所述第二导电段1732电性连接，各所述第二导电段1732均跨过所述扫描线121，各所述第二导电段1732均与所述导电连接线142a电性连接。

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