中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司裴俊植获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法、芯片、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334904B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011078791.1，技术领域涉及：H10W20/41；该发明授权一种半导体器件及其制造方法、芯片、电子设备是由裴俊植;高建峰;白国斌;刘卫兵;李俊杰设计研发完成，并于2020-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法、芯片、电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其制造方法、芯片、电子设备。该器件包括半导体基底、堆叠金属层以及气隙等。堆叠金属层设置于半导体基底的上方，在堆叠金属层内设置有凹槽。第一间隔物设置于凹槽内，且沿着堆叠金属层侧面设置，气隙设置于凹槽内。芯片包括本公开任一实施例的器件。该电子设备包括本公开任一实施例的芯片。该制造方法包括：在半导体基底的上方形成堆叠金属层，在堆叠金属层内形成凹槽，在凹槽的侧壁上形成第一间隔物和第二间隔物，再在相邻的第二间隔物之间形成牺牲层，依次去除第二间隔物和牺牲层，以在凹槽内形成气隙。本公开能够在堆叠金属层上制造出大尺寸气隙，从而极大地改善寄生电阻和寄生电容导致的芯片性能变差的问题。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法、芯片、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 在半导体基底的上方形成至少一层堆叠金属层； 在所述堆叠金属层内形成凹槽； 在凹槽的侧壁上依次形成第一间隔物和第二间隔物； 在相邻的第二间隔物之间形成牺牲层； 依次去除所述第二间隔物和所述牺牲层； 在所述堆叠金属层上沉积上停止层，以使所述第一间隔物、所述堆叠金属层以及所述上停止层共同围成气隙； 其中，依次去除所述第二间隔物和所述牺牲层的过程包括： 沉积保护层； 对所述保护层进行化学机械平坦化处理，以露出所述第二间隔物； 对所述第二间隔物进行刻蚀，并采用干法刻蚀或湿法刻蚀的方式去除所述第二间隔物； 采用灰化处理的方式去掉所述牺牲层，以在相邻的堆叠金属之间形成气隙。
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