中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司李南照获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334802B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011061641.X，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体结构的制备方法是由李南照;高建峰;白国斌;刘卫兵;李俊杰设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤：在所述半导体衬底上形成金属互连线；在所述金属互连线的上方形成第一IMD层，图案化所述第一IMD层，以形成贯穿所述第一IMD层的第一半过孔；在所述第一IMD层的上方形成第二IMD层，图案化所述第二IMD层，以形成贯穿所述第二IMD层的第二半过孔；其中，所述第一半过孔的位置与第二半过孔的位置对应，且第一半过孔与第二半过孔连通构成过孔。通过沉积两次IMD层，这样过孔可以通过2次刻蚀形成，使得过孔的上部尺寸得以控制，解决了金属互连线与IMD的信赖度变差的问题，提高了器件的性能。
本发明授权半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上形成第一金属互连线； 在所述第一金属互连线的上方形成第一IMD层，图案化所述第一IMD 层，以形成贯穿所述第一IMD层的第一半过孔； 在所述第一IMD层的上方形成第二IMD层，图案化所述第二IMD层，暴露所述第一金属互连线的顶面，以形成贯穿所述第二IMD层的第二半过孔； 其中，所述第一半过孔的位置与第二半过孔的位置对应，且第一半过孔与第二半过孔连通构成过孔；所述第二半过孔上部尺寸小于所述第一金属互连线的上部尺寸； 在所述过孔内形成过孔接触件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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