意法半导体股份有限公司N·皮卢索获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利用于制造具有改进特性的碳化硅半导体器件的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300352B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110762512.1，技术领域涉及：H10P52/40；该发明授权用于制造具有改进特性的碳化硅半导体器件的工艺是由N·皮卢索;A·塞维利诺;S·里纳尔迪;A·马泽奥;L·卡多;A·鲁索;G·弗兰科;A·巴西设计研发完成，并于2021-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造具有改进特性的碳化硅半导体器件的工艺在说明书摘要公布了：本公开涉及用于制造具有改进特性的碳化硅半导体器件的工艺。一种用于制造碳化硅半导体器件的工艺包括提供具有衬底的碳化硅晶片。在衬底上实行用于形成外延层的外延生长，该外延层具有顶表面。在实行外延生长的步骤之后，工艺包括从顶表面开始去除外延层的表面部分的步骤，从而去除由于在先前外延生长期间位错从衬底的传播而存在于顶表面处的表面损伤，并且从而限定基本没有缺陷的所得顶表面。
本发明授权用于制造具有改进特性的碳化硅半导体器件的工艺在权利要求书中公布了：1.一种用于制造碳化硅半导体器件的方法，包括： 提供碳化硅晶片，所述碳化硅晶片具有衬底； 实行外延生长，以用于利用同质外延工艺在所述衬底上形成外延层，所述外延层具有顶表面，在所述外延生长期间，发生位错从所述衬底朝向所述顶表面的传播，因此形成表面损伤；以及 继实行所述外延生长之后，从所述顶表面开始去除所述外延层的表面部分，从而去除在所述顶表面处的所述表面损伤，并且限定基本没有缺陷的所得顶表面； 其中所述表面损伤是凹坑，所述凹坑是由于在所述外延生长期间，所述位错从所述衬底开始朝向所述顶表面的传播而产生的； 其中去除所述外延层的所述表面部分包括：对所述外延层的所述顶表面实行化学机械抛光CMP； 其中使用抛光剂来实行所述CMP，所述抛光剂没有颗粒，并且具有低于5的pH。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体股份有限公司，其通讯地址为：意大利阿格拉布里安扎；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励