北京大学深圳研究生院刘发扬获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学深圳研究生院申请的专利双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242783B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111286452.7，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法是由刘发扬;陆磊;张盛东;王云萍;周晓梁设计研发完成，并于2021-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：一种双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法，包括第一栅极和第二栅极，分别使得第一栅极和第二栅极作为场效应管结构的底栅和顶栅，并将底栅和顶栅分别设置为MOSFET结构和MESFET结构，由于结合了MOSFET结构和MESFET结构的优势，使得该双栅器件的工作电压范围扩大，增加了栅极对沟道的控制能力，使器件的载流子迁移率、SS等参数得以优化，并使器件的稳定性有所提升。此外，由于MESFETJFET器件对栅极偏置的变化更加敏感，使得本申请中的双栅半导体场效应晶体管利用这种特点使得可以应用到传感领域中，增大了应用范围。
本发明授权双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双栅结构的半导体场效应晶体管，其特征在于，包括： 基板； 第一栅极，所述第一栅极位于所述基板的部分表面上； 底栅绝缘层，所述底栅绝缘层覆盖在所述第一栅极上，并与其余部分的玻璃基板表面接触； 有源层，位于所述底栅绝缘层上方； 第二栅极，位于所述有源层的上方； 源极层和漏极层，位于所述第二栅极两侧，且与所述有源层为欧姆接触。
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