铠侠股份有限公司井手谦一获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242730B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110696164.2，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体装置及其制造方法是由井手谦一;田原宽子设计研发完成，并于2021-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够抑制可靠性劣化的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备具有在第1方向上交替积层的多个导电层及多个第1绝缘层的积层体。导电层具有第1金属层及第2金属层。第1金属层包含第1金属元素及与包含该第1金属元素的材料气体发生化学反应的物质。第2金属层包含第1金属元素，且物质的含量比第1金属层少。第1金属层配置在第1绝缘层与第2绝缘层之间。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备积层体，所述积层体具有在第1方向上交替积层的多个导电层及多个第1绝缘层， 所述导电层具有： 第1金属层，包含第1金属元素及与包含该第1金属元素的材料气体发生化学反应的物质；以及 第2金属层，包含所述第1金属元素，且所述物质的含量比所述第1金属层少； 所述第1金属层配置在所述第1绝缘层与所述第2金属层之间，且包含氮N，所述第1金属层中所述第1绝缘层侧的氮浓度高于所述第2金属层侧的氮浓度。
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