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无锡华瑛微电子技术有限公司温子瑛获国家专利权

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龙图腾网获悉无锡华瑛微电子技术有限公司申请的专利半导体处理装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114188266B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111076005.9,技术领域涉及:H10P72/76;该发明授权半导体处理装置是由温子瑛设计研发完成,并于2021-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体处理装置在说明书摘要公布了:本发明提供了一种半导体处理装置,其包括:第一腔室部;第二腔室部。第一腔室部具有第一槽道,第二腔室部具有第二槽道,在第二腔室部相对于第一腔室部位于关闭位置且微腔室内容纳有半导体晶圆时,第一槽道和第二槽道连通并在晶圆边缘处共同形成边缘微处理空间,容纳于微腔室内的半导体晶圆的外缘伸入边缘微处理空间。第一腔室部上具有位于第一槽道外侧的密封接合部,第二腔室部上具有与密封接合部对应的接合凹槽借助边缘微处理空间,本发明能够实现对半导体晶圆的外缘的处理。

本发明授权半导体处理装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体处理装置,其特征在于,其包括: 第一腔室部; 可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部,其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时,第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室,半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内,在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时,所述半导体晶圆能够被取出或放入; 第一腔室部具有第一槽道,第二腔室部具有第二槽道,在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时,第一槽道和第二槽道连通并与半导体晶圆的边缘共同形成边缘微处理空间,容纳于所述微腔室内的半导体晶圆的外缘伸入所述边缘微处理空间,该边缘微处理空间通过边缘处理通孔与外部相通,流体通过所述边缘处理通孔进入或流出所述边缘微处理空间, 第一腔室部上具有位于第一槽道外侧的密封接合部,第二腔室部上具有与密封接合部对应的接合凹槽, 所述密封接合部包括位于内侧的内边缘表面,在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时,密封接合部的末端伸入所述接合凹槽,其内边缘表面的末端部分与所述接合凹槽的槽壁密封配合,其内边缘表面的上端部分形成所述边缘微处理空间的外侧面, 所述密封接合部的内边缘表面的末端部分与所述接合凹槽的槽壁的密封面位于所述边缘微处理空间下方,并且该密封面垂直于半导体晶圆的延伸方向。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人无锡华瑛微电子技术有限公司,其通讯地址为:214000 江苏省无锡市新区震泽路18号国家软件园3期鲸鱼座A栋1楼;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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