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龙图腾网获悉武汉纺织大学申请的专利基于疏水性聚合物电子和空穴传输材料的反置钙钛矿太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171684B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111332884.7，技术领域涉及：H10K30/40；该发明授权基于疏水性聚合物电子和空穴传输材料的反置钙钛矿太阳能电池及其制备方法是由杨丽燕;王涛;王栋;李沐芳;刘琪;马俊设计研发完成，并于2021-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于疏水性聚合物电子和空穴传输材料的反置钙钛矿太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于疏水性聚合物电子和空穴传输材料的反置钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该制备方法中钙钛矿太阳能电池的空穴传输层和电子传输层均是利用疏水性共轭聚合物溶液通过简单的一步旋涂法制备得到，并分设于钙钛矿活性层的两侧，从而对钙钛矿材料的吸光性能起到良好的保护作用，显著提升了所制得的未封装钙钛矿太阳能电池的使用寿命。此外，由于所使用的两类共轭聚合物原料成膜性能优异，与中间钙钛矿活性层的匹配程度较高且电荷传输效率相平衡，使得电池的导电性能良好、光电转化效率较高且几乎无滞后效应。

本发明授权基于疏水性聚合物电子和空穴传输材料的反置钙钛矿太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于疏水性聚合物电子和空穴传输材料的反置钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤； S1.对透明导电玻璃基底进行预处理； S2.将疏水性共轭聚合物溶液旋涂于所述透明导电玻璃基底上，制得空穴传输层；所述疏水性共轭聚合物为聚乙烯咔唑、聚[[9-1-辛基壬基-9H-咔唑-2,7-二基]-2,5-噻吩二基-2,1,3-苯并噻二唑-4,7-二基-2,5-噻吩二基]、聚3-己基噻吩、聚[双4-苯基4-丁基苯基胺]中的一种或多种； S3.在所述空穴传输层表面旋涂沉积钙钛矿活性层；所述钙钛矿活性层是通过两步旋涂法制备得到；所述两步旋涂法包括如下步骤： S31.将MAI或和FAI和PbI2的混合物溶解于DMF和DMSO的混合溶剂中，制得前驱体溶液，将所述前驱体溶液旋涂于50～80℃预热的所述空穴传输层表面； S32.将MAIIPA溶液迅速旋涂于S31所得薄膜上并于80～120℃条件下热处理10～60min； S4.在所述钙钛矿活性层表面旋涂沉积疏水聚合物电子传输材料得到电子传输层；所述疏水聚合物电子传输材料为F8BT； S5.在所述电子传输层上蒸镀金属电极，制得基于疏水性聚合物电子和空穴传输材料的反置钙钛矿太阳能电池。

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