北京北方华创微电子装备有限公司袁仁志获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体封装结构及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171455B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111462283.8，技术领域涉及：H10W95/00；该发明授权半导体封装结构及其加工方法是由袁仁志;林源为设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其加工方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体封装结构及其加工方法，属于半导体工艺技术领域。一种半导体封装结构的加工方法，包括：提供晶圆，晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面，晶圆的第一表面暴露出焊垫；在第一表面上依次形成图案化的第一钝化层和布线层，布线层电连接焊垫；在第二表面上形成有钝化层图案化的第二钝化层；以第二钝化层为掩膜，在预设工艺条件下刻蚀晶圆形成贯穿晶圆的锥形孔，从第二表面至第一表面的方向，锥形孔的宽度逐渐减小，且暴露出第一钝化层；其中，预设工艺条件包括：采用的下电极功率小于或等于50W。采用上述技术方案可以解决目前的封装方法在形成硅通孔时，对后续的金属填充容易造成不利影响的问题。
本发明授权半导体封装结构及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构的加工方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供晶圆，所述晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面，所述晶圆的第一表面暴露出焊垫； 在所述第一表面上依次形成图案化的第一钝化层和布线层，所述布线层电连接所述焊垫； 在所述第二表面上形成有钝化层图案化的第二钝化层；以所述第二钝化层为掩膜，在预设工艺条件下刻蚀所述晶圆形成贯穿所述晶圆的锥形孔，从所述第二表面至所述第一表面的方向，所述锥形孔的宽度逐渐减小，且暴露出所述第一钝化层；其中，所述预设工艺条件包括：采用等离子体刻蚀中的下电极功率小于或等于50W； 基于所述锥形孔，在所述第一钝化层上进行刻蚀形成开窗，所述开窗与所述锥形孔连通； 在所述锥形孔和所述开窗中形成金属连接柱，所述锥形孔将所述金属连接柱的一端裸露出来，所述金属连接柱的另一端与所述布线层电连接。
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