中国科学院微电子研究所贺晓彬获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利刻蚀梯形凹槽的方法及在衬底上形成金属线条的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171374B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111276952.2，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权刻蚀梯形凹槽的方法及在衬底上形成金属线条的方法是由贺晓彬;杨涛;李亭亭;刘金彪;唐波;李俊峰;罗军设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本刻蚀梯形凹槽的方法及在衬底上形成金属线条的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及刻蚀梯形凹槽的方法及在衬底上形成金属线条的方法。刻蚀梯形凹槽的方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成光刻胶；用第一掩膜板遮挡所述光刻胶，进行第一次曝光；移除第一掩膜板，用第二掩膜板遮挡所述光刻胶，进行第二次曝光；之后对所述第二次曝光的区域进行显影，得到梯形凹槽；其中，所述第二次曝光的曝光区域被所述第一次曝光的曝光区域包围，并且所述第一次曝光的剂量小于第二次曝光的剂量。本发明方法只需要形成单层光刻胶，并且在凹槽内溅射金属时不会发生覆盖光刻胶侧壁的现象，从而避免剥离不干净的问题。
本发明授权刻蚀梯形凹槽的方法及在衬底上形成金属线条的方法在权利要求书中公布了：1.刻蚀梯形凹槽的方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底表面形成光刻胶； 用第一掩膜板遮挡所述光刻胶，进行第一次曝光； 移除第一掩膜板，用第二掩膜板遮挡所述光刻胶，进行第二次曝光； 之后对所述第二次曝光的区域进行显影，得到梯形凹槽； 其中，所述第二次曝光的曝光区域被所述第一次曝光的曝光区域包围，并且所述第一次曝光的剂量小于第二次曝光的剂量； 第一次曝光过程中，预先在光刻胶中沉积一部分能量，但不足以使光刻胶完全感光，通过第二次曝光，将第二掩膜板暴露区域的光刻胶完全感光，并且由于电子束或紫外光到达衬底会造成散射，导致第二掩膜板底部旁边的光刻胶也收到一定能量，和第一次曝光的能量叠加导致底部可溶于显影液。
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