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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141778B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110922128.3，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权半导体存储装置是由黑田寿文;岛田裕介;永岛贤史设计研发完成，并于2021-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：一种半导体存储装置具备：在第1方向上排列的第1及第2导电层；多个第1半导体层，在第1以及第2导电层之间与第1导电层对置，在与第1方向交叉的第2方向上排列设置；第1电荷累积层，在第1方向上设于多个第1半导体层以及第1导电层之间，遍及多个第1半导体层与第1导电层之间的多个区域而沿第2方向延伸；以及第1绝缘层，在第1方向上设于多个第1半导体层以及第1电荷累积层之间。第1绝缘层具备：第1区域，在第1方向上与第1半导体层的第2方向的一端部对置；第2区域，在第1方向上与第1半导体层的第2方向的另一端部对置；以及第3区域，在第2方向上设于第1以及第2区域之间。第1以及第2区域的氮浓度低于第3区域的氮浓度。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 在第1方向上排列的第1导电层以及第2导电层； 多个第1半导体层，在所述第1导电层以及所述第2导电层之间与所述第1导电层对置，在与所述第1方向交叉的第2方向上排列设置； 第1电荷累积层，在所述第1方向上设置于所述多个第1半导体层以及所述第1导电层之间，遍及所述多个第1半导体层与所述第1导电层之间的多个区域而沿所述第2方向延伸；以及 第1绝缘层，在所述第1方向上设置于所述多个第1半导体层以及所述第1电荷累积层之间； 所述第1绝缘层具备： 第1区域，在所述第1方向上与所述第1半导体层的所述第2方向上的一端部对置； 第2区域，在所述第1方向上与所述第1半导体层的所述第2方向上的另一端部对置；以及 第3区域，在所述第2方向上设置于所述第1区域以及所述第2区域之间； 所述第1区域以及所述第2区域中的氮的浓度低于所述第3区域中的氮的浓度， 所述第1方向上的所述第1区域的端部与所述第1方向上的所述第1半导体层接触。

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