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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121990B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110193738.4，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体存储装置是由赤穂雅之设计研发完成，并于2021-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明的半导体存储装置具备：衬底；存储单元阵列，在第1方向上与衬底分开；及多个第1焊垫电极，沿第2方向排列，在第3方向上远离存储单元阵列，且能用于数据的输入输出。衬底具备沿第2方向交替排列的多个第1区域及多个第2区域。存储单元阵列具备：多个导电层，跨及多个第1区域及多个第2区域沿第2方向延伸，且沿第1方向排列；多个半导体层，设置于多个第1区域中；及多个第1接点，设置于多个第2区域中，且沿第1方向延伸。将第1焊垫电极的中心位置与最靠近该第1焊垫电极的第1接点的中心位置的距离设为第1距离时，多个第1距离中的最大距离与最小距离之差为400nm以下。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 衬底； 存储单元阵列，在与所述衬底的表面交叉的第1方向上与所述衬底分开设置；以及 多个第1焊垫电极，沿与所述第1方向交叉的第2方向排列，设置于与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上远离所述存储单元阵列的位置上，且能用于输入向所述存储单元阵列写入的数据、及输出从所述存储单元阵列读出的数据； 所述衬底具备沿所述第2方向交替排列的多个第1区域及多个第2区域， 所述存储单元阵列具备： 多个导电层，跨及所述多个第1区域及所述多个第2区域沿所述第2方向延伸，且沿所述第1方向排列； 多个半导体层，设置于所述多个第1区域中，沿所述第1方向延伸，且与所述多个导电层对向；以及 多个第1接点，设置于所述多个第2区域中，沿所述第1方向延伸，所述第1方向的一端比所述多个导电层更靠近所述衬底，且所述第1方向的另一端比所述多个导电层更远离所述衬底； 将所述多个第1焊垫电极中的一个第1焊垫电极在所述第2方向及所述第3方向上的中心位置、与最靠近该第1焊垫电极的所述第1接点在所述第2方向及所述第3方向上的中心位置，在所述第2方向及所述第3方向上的距离设为第1距离时， 与所述多个第1焊垫电极对应的多个所述第1距离中的最大距离与最小距离之差为400nm以下。

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