中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司柯星获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121627B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010880952.2，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由柯星;崇二敏;张海洋设计研发完成，并于2020-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的栅极结构；位于栅极结构侧壁的侧墙结构；位于衬底上的介质层，所述介质层位于侧墙结构侧壁，且所述介质层顶部表面高于所述侧墙结构顶部表面和栅极结构顶部表面，且所述介质层的顶部表面为凸起的弧面。所述半导体结构性能得到提升。
本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括: 衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第一区的器件密度大于第二区的器件密度； 位于衬底上的伪栅极结构； 位于伪栅极结构侧壁的侧墙结构； 位于衬底上的介质层，所述介质层位于侧墙结构侧壁，且所述介质层顶部表面高于所述侧墙结构顶部表面和伪栅极结构顶部表面，所述侧墙结构和伪栅极结构暴露出部分所述介质层侧壁表面，且所述介质层的顶部表面为凸起的弧面。
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