长江存储科技有限责任公司陈亮获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种3D NAND存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093811B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111369255.1，技术领域涉及：H10W20/42；该发明授权一种3D NAND存储器件及其制造方法是由陈亮;刘威;黄诗琪设计研发完成，并于2021-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种3D NAND存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种3DNAND存储器件及其制造方法，多个存储区域通过伪存储区域进行分隔，刻蚀堆叠层以在伪存储区域中形成多个栅线隔离缝隙，通过在栅线隔离缝隙中填充绝缘层，并刻蚀绝缘层得到贯穿绝缘层至衬底的连接孔，在连接孔中填充金属，以在栅线隔离缝隙中形成接触插塞，最终通过多个接触插塞形成从3DNAND存储器件的一侧表面至相对的另一侧表面的电连接。由此可见，本申请通过在栅线隔离缝隙中形成接触插塞，能够在3DNAND存储器件中形成足够的接触插塞，并且能够避免降低存储区域占据存储器件的面积，提高存储器件的性能。
本发明授权一种3D NAND存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种3DNAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有牺牲层和介质层交替层叠的堆叠层； 刻蚀所述堆叠层，以在所述堆叠层中形成多个栅线隔离缝隙，所述栅线隔离缝隙贯穿所述堆叠层至所述衬底，所述多个栅线隔离缝隙形成在伪存储区域，所述伪存储区域将所述堆叠层分为多个存储区域；所述栅线隔离缝隙包括第一隔离缝隙和第二隔离缝隙，所述第一隔离缝隙靠近所述存储区域； 向所述栅线隔离缝隙中填充绝缘层； 仅刻蚀所述第二隔离缝隙中的绝缘层，形成连接孔，所述连接孔贯穿所述绝缘层至所述衬底； 进行所述连接孔的金属填充。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励