长江存储科技有限责任公司孙中旺获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维NAND存储器件及形成其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038793B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111318884.1，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维NAND存储器件及形成其的方法是由孙中旺;苏睿;周文犀;夏志良设计研发完成，并于2020-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维NAND存储器件及形成其的方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括交替地堆叠在衬底上的字线层和绝缘层的堆叠。所述半导体器件还包括第一电介质沟槽结构。所述第一电介质沟槽结构被放置在所述字线层中的底部选择栅BSG层中以分隔所述BSG层并且在衬底的第一方向上延伸。所述半导体器件还包括第二电介质沟槽结构。所述第二电介质沟槽结构被放置在所述字线层中的顶部选择栅TSG层中以分隔所述TSG层并且在所述衬底的所述第一方向上延伸。所述第二电介质沟槽结构在垂直于所述第一方向的所述衬底的第二方向上与所述第一电介质沟槽结构偏离。
本发明授权三维NAND存储器件及形成其的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 交替地堆叠在衬底上的字线层和绝缘层的堆叠； 被放置在所述字线层中的底部选择栅BSG层中以分隔所述底部选择栅层并且在所述衬底的第一方向上延伸的第一电介质沟槽结构； 被放置在所述字线层中的顶部选择栅TSG层中以分隔所述顶部选择栅层并且在所述衬底的所述第一方向上延伸的第二电介质沟槽结构，所述第二电介质沟槽结构在垂直于所述第一方向的所述衬底的第二方向上均与所述第一电介质沟槽结构偏离； 被放置在所述堆叠中的第一缝隙结构，所述第一缝隙结构贯穿所述堆叠地延伸并且沿所述衬底的所述第一方向延伸；以及 被放置在所述堆叠中的第二缝隙结构，所述第二缝隙结构贯穿所述堆叠地延伸并且沿所述衬底的所述第一方向延伸，并且 其中，在所述第一缝隙结构和所述第二缝隙结构之间有一个所述第一电介质沟槽结构和一个所述第二电介质沟槽结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励