长江存储科技有限责任公司吴林春获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023758B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111199258.5，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备是由吴林春;张丽媛;张坤;周文犀设计研发完成，并于2021-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、三维存储器，涉及半导体芯片技术领域，用于实现对半导体器件所在晶圆的翘曲程度的控制。所述半导体器件的制备方法包括：提供三维阵列结构；所述三维阵列结构包括衬底，设置在所述衬底一侧的牺牲层，及设置在所述牺牲层远离所述衬底的一侧的叠层结构；形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述牺牲层的栅线缝隙；形成掺杂多晶硅薄膜，并对所述掺杂多晶硅薄膜进行退火处理；所述掺杂多晶硅薄膜至少覆盖所述栅线缝隙的内壁；形成多晶硅薄膜，并对所述多晶硅薄膜进行退火处理；所述多晶硅薄膜覆盖所述掺杂多晶硅薄膜。上述半导体器件应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
本发明授权半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供三维阵列结构；所述三维阵列结构包括衬底，设置在所述衬底一侧的牺牲层，及设置在所述牺牲层远离所述衬底的一侧的叠层结构； 形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述牺牲层的栅线缝隙； 形成掺杂多晶硅薄膜，并对所述掺杂多晶硅薄膜进行退火处理；所述掺杂多晶硅薄膜至少覆盖所述栅线缝隙的内壁； 形成多晶硅薄膜，并对所述多晶硅薄膜进行退火处理；所述多晶硅薄膜覆盖所述掺杂多晶硅薄膜。
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