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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利字线结构间空气间隙的形成方法及NAND器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005833B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111265236.4，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权字线结构间空气间隙的形成方法及NAND器件的制造方法是由王鹏设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本字线结构间空气间隙的形成方法及NAND器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种字线结构间空气间隙的形成方法及NAND器件的制造方法，字线结构间空气间隙的形成方法包括：提供一衬底，衬底上具有字线结构及外围单元；形成氮化硅材料层填充字线结构之间，并覆盖至字线结构及外围单元之上；形成第一掩模层覆盖闪存区的氮化硅材料层，在外围区形成外围单元的氮化硅侧墙；形成第二掩模层覆盖外围区，去除闪存区的氮化硅材料层；在字线结构之间形成空气间隙。本发明中，通过第一掩模层在形成氮化硅侧墙过程中使得氮化硅材料层中的空洞不暴露，从而避免了空洞被其他材料填充导致的氮化硅材料层残留的问题，有利于提高器件的良率，并且还可因此降低填充字线结构间的氮化硅材料层的工艺要求，有利于提高制造效率。

本发明授权字线结构间空气间隙的形成方法及NAND器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种字线结构间空气间隙的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上具有闪存区及外围区，所述闪存区上设有若干间隔排布的字线结构，所述外围区上设有外围单元； 形成氮化硅材料层，所述氮化硅材料层填充于所述字线结构之间，并覆盖至所述字线结构及外围单元上； 形成第一掩模层，所述第一掩模层覆盖所述闪存区的氮化硅材料层，以所述第一掩模层为掩模，在所述外围区形成所述外围单元的氮化硅侧墙，所述外围单元的氮化硅侧墙的形成方法包括以所述第一掩模层为掩模，干法蚀刻以去除所述外围区上及所述外围单元的顶壁的氮化硅材料层，并以剩余的位于所述外围单元侧壁的氮化硅材料层作为所述氮化硅侧墙，所述第一掩模层为光刻胶层，在形成所述氮化硅侧墙的同时，利用干法蚀刻还去除所述第一掩模层以及所述字线结构上的部分氮化硅材料层； 形成第二掩模层，所述第二掩模层覆盖所述外围区，以所述第二掩模层为掩模，去除所述闪存区的氮化硅材料层； 在所述字线结构之间形成空气间隙。

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