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龙图腾网获悉科磊股份有限公司申请的专利多工具参数集校准及偏移测量系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113950644B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080043109.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权多工具参数集校准及偏移测量系统及方法是由R·弗克维奇;A·戈洛塔斯万设计研发完成，并于2020-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本多工具参数集校准及偏移测量系统及方法在说明书摘要公布了：一种在半导体装置制造中使用的多工具参数集校准及偏移测量方法包含：使用至少一第一参考偏移计量工具，使用第一测量参数集以测量一批次晶片的晶片上的至少两层之间的偏移，借此产生第一偏移数据集；将所述第一参数集及所述数据集传输到经校准测量参数集产生器CSMPG，所述CSMPG处理所述第一参数集及所述数据集，借此产生经校准测量参数集，从所述CSMPG传输所述经校准测量参数集以基于所述经校准测量参数集校准至少一个最初未校准的偏移计量工具。此后，使用至少所述最初未校准的偏移计量工具，使用用于所述测量的所述经校准测量参数集测量至少一个晶片的至少两层之间的偏移。

本发明授权多工具参数集校准及偏移测量系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种在半导体装置制造中使用的多工具参数集校准及偏移测量方法，其包括： 使用至少第一参考偏移计量工具，使用第一测量参数集以测量晶片上的至少两层之间的偏移，所述晶片选自一批次晶片，借此产生第一偏移数据集； 将所述第一测量参数集及所述第一偏移数据集传输到经校准测量参数集产生器CSMPG； 使用所述CSMPG处理所述第一测量参数集及所述第一偏移数据集，借此产生经校准测量参数集，所述使用所述CSMPG处理所述第一测量参数集及所述第一偏移数据集包括： 基于所述第一测量参数集和所述第一偏移数据集，对预期偏移数据集进行建模； 将经建模的所述预期偏移数据集进行相互比较；及 将与满足预定标准的所述预期偏移数据集相关联的任何测量参数集识别为所述经校准测量参数集； 其中所述经校准测量参数集包括以下项中的至少一者： 用于偏移测量中的晶片载台的线性位置； 用于偏移测量中的晶片载台的方位角定向； 用于偏移测量中的晶片载台的仰角定向； 测量偏移所沿着的轴； 计量目标的所关注区域； 用于偏移测量中的数值孔径； 用于偏移测量中的光的偏光； 用于偏移测量中的光的波长； 用于偏移测量中的光的波长的带宽； 用于偏移测量中的光的强度； 用于偏移测量中的焦深； 用于偏移测量中的相机； 用于偏移测量中的变迹器；及 用于偏移测量中的光学器件通道； 将所述经校准测量参数集从所述CSMPG传输到至少一个最初未校准的偏移计量工具； 基于所述经校准测量参数集校准所述至少一个最初未校准的偏移计量工具；及 此后通过使用所述至少一个最初未校准的偏移计量工具测量选自所述批次晶片的至少一个晶片的至少两层之间的偏移，所述最初未校准的偏移计量工具使用所述经校准测量参数集用于所述测量。

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