台湾积体电路制造股份有限公司彭士玮获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113937089B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110194397.2，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权集成电路及其形成方法是由彭士玮;吴佳典;曾健庭设计研发完成，并于2021-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路及其形成方法在说明书摘要公布了：公开了集成电路。该集成电路包含导电轨、信号轨、至少一个第一通孔以及至少一个第一导电部。该至少一个第一通孔设置在第一导电层与第二导电层之间，并且将信号轨的第一信号轨耦合至导电轨的至少一个。该第一信号轨配置为将供应信号传输通过至少一个第一通孔和导电轨的至少一个到达集成电路的至少一个元件。该至少一个第一导电部设置在第一导电层与第二导电层之间。该至少一个第一导电部耦合至导电轨的至少一个并且与第一信号轨分离。本发明的实施例还涉及形成集成电路的方法。
本发明授权集成电路及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括： 多个导电轨，设置在第一导电层中； 多个信号轨，设置在所述第一导电层上方的第二导电层中； 至少一个第一通孔，设置在所述第一导电层与所述第二导电层之间，并且将所述多个信号轨的第一信号轨耦合至所述多个导电轨的至少一个，其中，所述第一信号轨被配置为将供应信号传输通过所述至少一个第一通孔和所述多个导电轨的至少一个到达所述集成电路的至少一个元件；以及 至少一个第一导电部，设置在所述第一导电层与所述第二导电层之间，其中，所述至少一个第一导电部设置在所述多个导电轨的所述至少一个上且与所述多个导电轨的所述至少一个直接接触，并且与所述第一信号轨分离。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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