中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司郭炳容获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851453B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010523688.7，技术领域涉及：H10W20/41；该发明授权一种半导体器件及其制作方法、电子设备是由郭炳容;杨涛;杨帆;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2020-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制作方法、电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体制作技术领域，以增大存储接触部与相应有源区之间的接触面积，降低存储接触部与相应有源区之间接触电阻。所述半导体器件包括基底、位线结构、存储接触部和隔离部。基底具有有源区。位线结构形成在有源区上。存储接触部和隔离部形成在相邻两个位线结构之间，隔离部用于隔离相邻两个存储接触部，每个有源区具有与相应存储接触部交叠的交叠区域，每个存储接触部与相应有源区具有的交叠区域之间的接触面积大于预设阈值。所述半导体器件的制作方法用于制作半导体器件。本发明提供的半导体器件应用于电子设备中。
本发明授权一种半导体器件及其制作方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供具有有源区的基底； 在所述有源区上形成位线结构； 以及在相邻两个所述位线结构之间形成存储接触部和隔离部，所述隔离部用于隔离相邻两个所述存储接触部，每个所述有源区具有与相应所述存储接触部交叠的交叠区域，每个所述存储接触部与相应所述有源区具有的交叠区域之间的接触面积大于预设阈值； 所述在相邻两个所述位线结构之间形成存储接触部和隔离部包括： 以所述位线结构为掩膜，向下刻蚀所述基底，以露出相邻所述位线结构之间的所述有源区； 在相邻两个所述位线结构之间形成导体材料； 在预定区域对所述导体材料进行绝缘处理，形成所述隔离部，使得剩余所述导体材料形成所述存储接触部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励