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龙图腾网获悉三星显示有限公司申请的专利显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113809124B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110570115.4，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权显示装置是由金根佑;金斗娜;姜美在;阮成进设计研发完成，并于2021-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示装置在说明书摘要公布了：本发明的显示装置包括像素，像素包括像素驱动晶体管以及像素开关晶体管，像素驱动晶体管包括：第一有源层，包括具有第一长度的第一沟道区域；第一栅极绝缘层，配置在第一有源层上；第一栅极电极，配置在第一栅极绝缘层上；第一源极电极，配置在第一栅极电极上并与第一有源层的源极区域连接；和第一漏极电极，与第一有源层的漏极区域连接，像素开关晶体管包括：第二有源层，包括具有比第一长度短的第二长度的第二沟道区域；第二栅极绝缘层，配置在第二有源层上；第二栅极电极，配置在第二栅极绝缘层上；第二源极电极，配置在第二栅极电极上并与第二有源层的源极区域连接；和第二漏极电极，配置在第二栅极电极上并与第二有源层的漏极区域连接。

本发明授权显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括像素，所述像素包括像素驱动晶体管以及像素开关晶体管， 所述像素驱动晶体管包括： 第一有源层，用第三族元素掺杂，并包括具有第一长度的第一沟道区域； 第一栅极绝缘层，配置在所述第一有源层上； 第一栅极电极，配置在所述第一栅极绝缘层上； 第一源极电极，配置在所述第一栅极电极上，并与所述第一有源层的源极区域连接；以及 第一漏极电极，配置在所述第一栅极电极上，并与所述第一有源层的漏极区域连接， 所述像素开关晶体管包括： 第二有源层，用第五族元素掺杂，并包括具有比所述第一长度短的第二长度的第二沟道区域； 第二栅极绝缘层，配置在所述第二有源层上； 第二栅极电极，配置在所述第二栅极绝缘层上； 第二源极电极，配置在所述第二栅极电极上，并与所述第二有源层的源极区域连接；以及 第二漏极电极，配置在所述第二栅极电极上，并与所述第二有源层的漏极区域连接， 所述像素驱动晶体管以及所述像素开关晶体管是PMOS晶体管。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星显示有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道龙仁市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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