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龙图腾网获悉开元通信技术(厦门)有限公司申请的专利射频器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764362B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111007896.2，技术领域涉及：H10W74/10；该发明授权射频器件及其制备方法是由蒋将;祝明国;胡念楚;贾斌设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本射频器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种射频器件及其制备方法，其中，该射频器件包括射频结构和封装结构。射频结构用于实现射频器件的射频功能；以及封装结构覆盖于射频结构上，以实现对射频结构的封装，其中封装结构包括多个外引电极，多个外引电极的每个外引电极与射频结构接触连接，并贴覆于封装结构背向射频结构的背表面上，以提高封装结构主体的刚性。因此，能够在提高空腔结构的强度，以改善封装结构主体的结构稳定性基础上，进一步通过外引电极实现更好的器件结构散热效果。

本发明授权射频器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种射频器件，其中，包括： 射频结构，用于实现所述射频器件的射频功能；以及 封装结构，覆盖于所述射频结构上， 其中，所述射频结构包括： 衬底，用于支撑所述射频结构和封装结构； 功能层，设置于所述衬底的中间区域的上表面上，用于实现所述射频功能； 多个底电极，沿所述衬底的上表面的边缘围绕所述功能层分布设置在所述衬底的上表面上， 其中，所述封装结构包括： 支撑墙，围绕所述功能层凸设于所述衬底的上表面的边缘，为一封闭环状的凸起结构，所述支撑墙与所述底电极不接触； 顶层膜，为所述封装结构主体，对应于所述支撑墙围设所述功能层形成的区域设置，形成所述射频结构和所述封装结构之间的封闭空间； 多个电极孔，穿设于所述支撑墙上，与所述多个底电极的位置一一对应，使得所述底电极暴露于所述支撑墙之外；或者 多个缺口，沿所述支撑墙的外边缘开设于所述支撑墙上，与所述多个底电极的位置一一对应，使得所述底电极暴露于所述支撑墙之外； 多个外引电极，所述多个外引电极的每个外引电极包括： 主体层，贴覆于所述顶层膜背向所述射频结构的功能层的背表面上； 外引层，与所述主体层连接构成一体成型结构层， 其中，所述外引层贴覆于所述多个电极孔的对应电极孔或所述多个缺口的对应缺口的内壁至对应所述底电极上并覆盖对应所述底电极，与所述射频结构的底电极和衬底接触连接， 其中，在所述电极孔底表面上设置间隔缝，所述间隔缝沿所述外引层的外边缘间隔所述外引层与所述支撑墙，所述间隔缝的缝长r1与所述外引层在所述电极孔底表面上的部分的全部周长r0之间满足：r1≤r03。

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