三星电子株式会社柳睿信获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113496756B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110249709.5，技术领域涉及：G11C29/42；该发明授权半导体存储器装置是由柳睿信;金南昇;车相彦;尹载允;李起准设计研发完成，并于2021-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：一种半导体存储器装置，包括：缓冲器晶片；堆叠在缓冲器晶片上的存储器晶片；以及硅通孔，存储器晶片中的至少一个包括：存储器单元阵列；错误校正码ECC引擎；错误信息寄存器；以及控制逻辑电路，其被配置为控制ECC引擎，以执行读修改写操作，其中，控制逻辑电路被配置为：基于产生信号和通过ECC码解码获得的第一校正子，在错误信息寄存器中记录与第一码字关联的第一地址；以及基于多个读修改写操作，基于在错误信息寄存器中记录的第一校正子的改变来确定第一码字的错误属性。
本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，包括： 缓冲器晶片； 堆叠在所述缓冲器晶片上的多个存储器晶片；以及 多个硅通孔，其将所述多个存储器晶片连接至所述缓冲器晶片， 其中，所述多个存储器晶片中的至少一个包括： 存储器单元阵列，其包括多个存储器单元行，每行包括多个易失性存储器单元； 错误校正码引擎； 错误信息寄存器；以及 控制逻辑电路，其被配置为控制所述错误校正码引擎，以通过以下步骤执行读修改写操作： 基于存取地址和命令，从所述多个存储器单元行中的第一存储器单元行中的子页中读取对应于第一码字的数据； 响应于检测到所述第一码字中的错误而对所述数据执行错误校正码解码，以产生错误产生信号； 校正所述第一码字中的检测到的错误；以及 将校正的第一码字写入对应于所述子页的第一存储器位置中， 其中，所述控制逻辑电路被配置为： 在所述错误信息寄存器中记录基于所述错误产生信号的与所述第一码字关联的第一地址以及通过所述错误校正码解码获得的第一校正子；以及 基于多个读修改写操作，基于在所述错误信息寄存器中记录的与所述第一码字关联的第一校正子的改变来确定所述第一码字的错误属性。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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