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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113421928B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110664358.4，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置是由山崎舜平设计研发完成，并于2012-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种包含氧化物半导体膜的具有稳定的电特性的晶体管。在该晶体管中，在能够通过加热释放氧的氧化膜上形成可以至少抑制从氧化膜释放氧的第一氧化物半导体膜。在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜。通过采用层叠有氧化物半导体膜的结构，可以当形成第二氧化物半导体膜时抑制从氧化膜释放氧，并且通过进行此后的热处理从氧化膜释放氧。因此，以氧能够透过第一氧化物半导体膜适当地供应到第二氧化物半导体膜。通过将氧供应到第二氧化物半导体膜，抑制氧缺陷而得到稳定的电特性。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 氧化膜上的第一氧化物半导体膜； 所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜； 所述第二氧化物半导体膜上的第一绝缘膜； 所述第一绝缘膜上的栅电极，具有与所述第二氧化物半导体膜重叠的区域； 第二绝缘膜，具有与所述栅电极的顶面接触的区域； 所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及 电连接到所述第二氧化物半导体膜的第一导电膜； 其中，所述第一氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体膜是至少包含铟、镓和锌的氧化物膜， 所述第一氧化物半导体膜中的铟的比率小于所述第二氧化物半导体膜中的铟的比率， 所述第一氧化物半导体膜中的镓的比率大于所述第二氧化物半导体膜中的镓的比率， 所述第一氧化物半导体膜中的镓的比率大于所述第一氧化物半导体膜中的铟的比率， 所述第二氧化物半导体膜中的铟的比率大于所述第二氧化物半导体膜中的稼的比率， 所述第二氧化物半导体膜包含结晶部， 所述第二绝缘膜包含氧化铝， 所述第一导电膜是包含选自铝、铬、铜、钽、钛、钼和钨中的元素的金属膜或金属氮化物膜， 所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜、所述第三绝缘膜包含开口， 所述第一导电膜设置在所述开口中， 并且，所述第一绝缘膜中的氢浓度低于7.2×1020原子cm3。

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