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东京毅力科创株式会社黑泽阳一获国家专利权

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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体处理装置、半导体部件和边缘环获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113363129B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110200407.9,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权等离子体处理装置、半导体部件和边缘环是由黑泽阳一;松山昇一郎;佐佐木康晴;舆水地盐设计研发完成,并于2021-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

等离子体处理装置、半导体部件和边缘环在说明书摘要公布了:本发明提供一种等离子体处理装置、半导体部件和边缘环。等离子体处理装置包括半导体部件和供电部。半导体部件构成内部能够实施等离子体处理的腔室的至少一部分或者配置在腔室内,且使用有半导体材料。供电部向半导体部件供给电力或将半导体部件设为GND电位。而且,等离子体处理装置至少在半导体部件与供电部接触的接触面设置有导电部。根据本发明,能够抑制半导体部件与供电部间的异常放电的发生。

本发明授权等离子体处理装置、半导体部件和边缘环在权利要求书中公布了:1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括: 腔室,其具有等离子体处理空间; 载置台,其配置于所述等离子体处理空间内,具有静电吸盘; 边缘环,其使用半导体材料形成,以包围放置在所述载置台上的基片的方式配置于所述载置台上,所述边缘环具有主体部和从所述主体部的外侧的下表面向下方突出的环状部; 供电部,其配置于所述载置台内,具有在所述边缘环的周向上排列的多个供电引脚,和与所述多个供电引脚各自的下部连接且沿着所述周向延伸的圆弧部; 至少一个导电层,其形成在所述环状部的内周面,与所述多个供电引脚接触,所述至少一个导电层具有0.02Ω·cm以下的电阻率;和 电源,其构成为能够经由所述供电部和所述至少一个导电层对所述边缘环施加脉冲状的直流电压,以使所述边缘环的上方的等离子体鞘的厚度变化, 所述多个供电引脚的前端部的侧面经由所述至少一个导电层与所述边缘环的所述环状部的内周面连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人东京毅力科创株式会社,其通讯地址为:日本东京都;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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