台湾积体电路制造股份有限公司王云翔获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路芯片以及用于形成集成电路芯片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314459B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011633256.8，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权集成电路芯片以及用于形成集成电路芯片的方法是由王云翔;蔡俊琳;余俊磊;陈柏智设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路芯片以及用于形成集成电路芯片的方法在说明书摘要公布了：本申请的各种实施例针对包括前段制程FEOL衬底上半导体贯通孔TSV的集成电路IC芯片以及用于形成该IC芯片的方法。在一些实施例中，半导体层位于衬底上。半导体层可以例如是或包括III‑V族半导体和或一些其他合适的半导体。半导体器件位于半导体层上，并且FEOL层位于半导体器件上。FEOLTSV在IC芯片的外围处延伸穿过FEOL层和半导体层至衬底。金属间介电IMD层位于FEOLTSV和FEOL层上，并且引线和通孔的交替堆叠件位于IMD层中。
本发明授权集成电路芯片以及用于形成集成电路芯片的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路芯片，包括： 衬底； 半导体层，位于所述衬底上； 前段制程层，位于所述半导体层上； 贯通孔，在所述集成电路芯片的外围处延伸贯穿所述前段制程层和所述半导体层至所述衬底；以及 引线和通孔的交替堆叠件，位于所述贯通孔上方； 层间介电层，位于所述前段制程层上且位于所述交替堆叠件下，其中，所述层间介电层具有延伸穿过所述半导体层至所述衬底并且部分地限定所述贯通孔的部分； 其中，所述交替堆叠件和位于所述交替堆叠件下方的密封接触件限定导电密封结构， 其中，所述导电密封结构和所述贯通孔沿所述集成电路芯片的外围在闭合路径中延伸，并且其中，所述贯通孔位于所述集成电路芯片的最外侧壁与所述导电密封结构之间，其中，限定所述贯通孔的所述层间介电层具有比所述前段制程层更低的水分和或蒸汽渗透性，其中，位于所述集成电路芯片的外围的所述密封接触件穿透自所述贯通孔中延伸出的所述层间介电层，并且所述密封接触件与所述贯通孔横向重叠。
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