日月光半导体制造股份有限公司张简千琳获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体设备封装和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113299637B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010675280.1，技术领域涉及：H10D80/00；该发明授权半导体设备封装和其制造方法是由张简千琳;李秋雯;涂宏荣;李长祺;高金利设计研发完成，并于2020-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体设备封装和其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体设备封装。所述半导体设备封装包含第一管芯、第二管芯和热耗散元件。所述第一管芯具有第一表面。所述第二管芯安置在所述第一表面上。所述热耗散元件安置在所述第一表面上。所述热耗散元件包含第一部分和第二部分，所述第一部分在基本上平行于所述第一表面的第一方向上延伸并且被所述第二管芯部分覆盖，所述第二部分在基本上垂直于所述第一表面的第二方向上延伸以邻近所述第二管芯的边缘。
本发明授权半导体设备封装和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备封装，其包括： 第一管芯10，所述第一管芯具有第一表面101； 第二管芯11，所述第二管芯安置在所述第一表面上，且所述第二管芯具有主动表面面对所述第一管芯； 第一热耗散元件12，所述第一热耗散元件安置在所述第一表面上并且曝露所述第二管芯的所述主动表面的部分，其中所述第一热耗散元件包含第一部分121和第二部分122，所述第一热耗散元件的所述第一部分在基本上平行于所述第一表面的第一方向上延伸，所述第一热耗散元件的所述第二部分在基本上垂直于所述第一表面的第二方向上延伸以邻近所述第二管芯的边缘；以及 第二热耗散元件22，其包含第一部分221和第二部分222，其中所述第二热耗散元件的所述第一部分安置在所述第一管芯与所述第二管芯之间，所述第二热耗散元件的所述第二部分连接到所述第二热耗散元件的所述第一部分并且延伸穿过所述第一管芯。
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