东京毅力科创株式会社笹川大成获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113192831B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110067030.4，技术领域涉及：H10P50/20；该发明授权蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统是由笹川大成;户村幕树设计研发完成，并于2021-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统在说明书摘要公布了：本发明提供蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统，能够相对于掩模的蚀刻提高基片内的区域的蚀刻的选择性，提高在该区域形成的开口的垂直性。例示的实施方式蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有至少部分地由氧化硅形成的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。膜以能够将规定开口的侧壁面的形状修正为垂直的形状的方式形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。
本发明授权蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括： 在基片的表面上形成膜的步骤，该基片具有至少部分地由氧化硅形成的区域和掩模，该掩模设置于所述区域上并提供使该区域部分地露出的开口，该膜由与所述区域的材料相同种类的材料形成；和 蚀刻所述区域的步骤， 所述膜修正所述掩模的形状使得在蚀刻所述区域的所述步骤中提高在所述区域形成的开口的垂直性， 以先进行形成膜的所述步骤再进行蚀刻所述区域的所述步骤的方式交替地反复进行这两个步骤。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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