宁波飞芯电子科技有限公司雷述宇获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波飞芯电子科技有限公司申请的专利一种图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951861B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110114466.4，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种图像传感器是由雷述宇设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图像传感器在说明书摘要公布了：本发明提供本发明提供一种图像传感器，其特征在于，包括：集成电路衬底；像素阵列区域，所述像素阵列区域位于所述集成电路衬底上；隔离区域，所述隔离区域围绕着所述像素阵列区域的周边形成；第一像素，所述第一像素位于所述像素阵列区域内；第二像素，所述第二像素位于所述像素阵列区域内与所述第一像素间通过所述隔离区域隔开转移单元，所述转移单元位于所述第一像素与所述第二像素之间的隔离区域内。通过此设计可以使得图像传感器的的面积减小有利于图像传感器的小型化。
本发明授权一种图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，包括：集成电路衬底；像素阵列区域，所述像素阵列区域位于所述集成电路衬底上；隔离区域，所述隔离区域围绕着所述像素阵列区域的周边形成；第一像素，所述第一像素位于所述像素阵列区域内；第二像素，所述第二像素位于所述像素阵列区域内与所述第一像素间通过所述隔离区域隔开；转移单元，所述转移单元位于所述第一像素与所述第二像素之间的隔离区域内； 所述转移单元为传输栅，所述传输栅被处于所述隔离区域的氧化层包围，与所述传输栅底部相连接的氧化层厚度大于与所述传输栅侧面连接的氧化层厚度，所述传输栅的填充深度大于光电转化部的34； 所述第一像素与所述第二像素合并为一个像素单元，存储区域设置于所述第一像素与所述第二像素之间的隔离区域内，并与所述转移单元的位置不同。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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