三星电子株式会社金锡震获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112928110B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011036926.8，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权半导体器件是由金锡震;李美珍;金楠琥;全灿熙设计研发完成，并于2020-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：半导体器件包括：第一阱区，在衬底中并且彼此间隔开；连接掺杂区，在第一阱区之间；以及第一互连线，通过第一触点电连接到连接掺杂区。第一阱区和连接掺杂区包括具有第一导电类型的杂质，并且连接掺杂区中的杂质的浓度高于第一阱区中的杂质的浓度。第一阱区延伸到衬底中的深度大于连接掺杂区延伸到衬底中的深度。连接掺杂区的第一部分设置在第一阱区中，并且连接掺杂区的第二部分接触衬底。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一阱区，设置在衬底中并且彼此间隔开； 连接掺杂区，设置在所述第一阱区之间；以及 第一互连线，通过第一触点电连接到所述连接掺杂区， 其中，所述第一阱区和所述连接掺杂区包括具有第一导电类型的杂质， 其中，所述连接掺杂区中的杂质的浓度高于所述第一阱区中的杂质的浓度， 其中，所述第一阱区延伸到所述衬底中的深度大于所述连接掺杂区延伸到所述衬底中的深度，并且 其中，所述连接掺杂区包括第一部分、与所述第一部分相对的第二部分、以及在所述第一部分与所述第二部分之间的第三部分，所述连接掺杂区的所述第一部分和所述第二部分设置在所述第一阱区中，并且所述连接掺杂区的所述第三部分接触所述衬底。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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