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龙图腾网获悉豪威科技股份有限公司申请的专利像素、相关联的图像传感器和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112825322B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010947311.4，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权像素、相关联的图像传感器和方法是由臧辉;王勤;陈刚设计研发完成，并于2020-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本像素、相关联的图像传感器和方法在说明书摘要公布了：一种像素包括半导体衬底、光电二极管区域、浮动扩散区域和介电层。衬底具有形成沟槽的顶表面，沟槽由介电层做衬里，并且具有相对于顶表面的平面区域的沟槽深度。光电二极管区域在衬底中，并且包括在沟槽下方的底部光电二极管部分和与沟槽相邻的顶部光电二极管部分，顶部光电二极管部分邻接底部光电二极管部分，并且朝向平面区域延伸到小于沟槽深度的光电二极管深度。浮动扩散区域与沟槽相邻，并且具有小于沟槽深度的结深度。介电层的顶部区域在平面区域和结深度之间。介电层的底部区域在光电二极管深度和沟槽深度之间，并且比顶部区域厚。

本发明授权像素、相关联的图像传感器和方法在权利要求书中公布了：1.一种像素，包括： 半导体衬底，所述半导体衬底具有形成沟槽的衬底顶表面，所述沟槽延伸到所述半导体衬底中并且具有相对于围绕所述沟槽的所述衬底顶表面的平面区域的沟槽深度； 光电二极管区域，所述光电二极管区域在所述半导体衬底中并且包括i所述沟槽下方的、具有第一导电类型的底部光电二极管部分，以及ii与所述沟槽相邻的、具有第一导电类型的顶部光电二极管部分，所述顶部光电二极管部分开始于小于所述沟槽深度的光电二极管深度处，朝向所述底部光电二极管部分延伸并且邻接所述底部光电二极管部分，所述光电二极管深度是相对于所述平面区域的；以及 浮动扩散区域，所述浮动扩散区域在所述半导体衬底中，与所述沟槽相邻，以及远离所述平面区域延伸到小于所述沟槽深度的结深度；以及 介电层，所述介电层为所述沟槽的衬里，所述介电层的在所述平面区域与所述结深度之间的顶部区域具有顶部厚度，所述介电层的在所述光电二极管深度与所述沟槽深度之间的底部区域具有超过所述顶部厚度的底部厚度；底部区域包括第一介电层和第二介电层，其中，第一介电层不覆盖平面区域，与沟槽底部内壁和下侧壁直接接触；第二介电层在沟槽内作衬里，在平面区域和第一介电层之间连续跨越从而覆盖至少部分平面区域，至少是介电层顶部区域的一部分，以及覆盖第一介电层； 在所述底部区域中，所述第一介电层和与其相邻的所述第二介电层的一部分具有有效介电常数和厚度，在所述顶部区域中，所述第二介电层具有介电常数和厚度，其中超过。

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