三星电子株式会社朴正镐获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利制造半导体封装件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447529B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010844089.5，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权制造半导体封装件的方法是由朴正镐;朴镇右;张在权;全光宰设计研发完成，并于2020-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体封装件的方法在说明书摘要公布了：制造半导体封装件的方法可包括：在第一载体上形成第一阻挡层；在第一阻挡层上形成包括暴露第一阻挡层的至少一部分的开口的牺牲层；在第一阻挡层上和牺牲层上形成第二阻挡层。第二阻挡层可包括形成在牺牲层上的部分。所述方法还可包括在开口中形成第一绝缘层，第一绝缘层突出超过第二阻挡层的所述部分的顶表面，第一绝缘层的顶表面比第二阻挡层的所述部分的顶表面更远离第一阻挡层；在第一绝缘层上和第二阻挡层上形成包括再分布层和第二绝缘层的再分布结构；在再分布结构上安装半导体芯片；将第二载体附着到半导体芯片上并去除第一载体；去除第一阻挡层、牺牲层和第二阻挡层以暴露再分布结构的部分；和分别在再分布结构的所述部分上形成焊料球。
本发明授权制造半导体封装件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括： 在第一载体上形成第一阻挡层； 在所述第一阻挡层上形成牺牲层，所述牺牲层包括暴露所述第一阻挡层的至少一部分的开口； 在所述第一阻挡层上和所述牺牲层上形成第二阻挡层，所述第二阻挡层包括形成在所述牺牲层上的部分； 在所述开口中形成第一绝缘层，所述第一绝缘层突出超过所述第二阻挡层的所述部分的顶表面，所述第一绝缘层的顶表面比所述第二阻挡层的所述部分的所述顶表面更远离所述第一阻挡层； 在所述第一绝缘层上和所述第二阻挡层上形成包括再分布层和第二绝缘层的再分布结构； 在所述再分布结构上安装半导体芯片； 将第二载体附着到所述半导体芯片上并去除所述第一载体； 去除所述第一阻挡层、所述牺牲层和所述第二阻挡层以暴露所述再分布结构的部分；以及 分别在所述再分布结构的所述部分上形成焊料球， 其中，所述再分布层和所述焊料球至少部分地被所述第一绝缘层围绕。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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