三星电子株式会社郑臻愚获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括标准单元的半导体器件和集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111799252B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911254150.4，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权包括标准单元的半导体器件和集成电路是由郑臻愚;权智旭;金秀泰;金慧林设计研发完成，并于2019-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括标准单元的半导体器件和集成电路在说明书摘要公布了：公开了一种半导体器件，包括：在第一方向上延伸的第一有源区和第二有源区；第一有源区与第二有源区之间的场区域；栅极结构，包括上部栅电极和下部栅电极，上部栅电极与第一有源区重叠并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，下部栅电极与第二有源区重叠，在第二方向上延伸，并且与上部栅电极在同一个线上；上部栅电极和下部栅电极之间的栅极隔离层；源极漏极区，在上部栅电极的相应侧上；接触跨接线，在第二有源区中与上部栅电极交叉，并且将源极漏极区电连接；以及第一上部触点，在场区域中沿第二方向延伸，并且与下部栅电极和栅极隔离层重叠，其中，上部栅电极是虚设栅电极。
本发明授权包括标准单元的半导体器件和集成电路在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，在所述半导体器件的底部处， 第一有源区，在所述衬底中，在第一方向上延伸； 第二有源区，在所述衬底中，在所述第一方向上延伸； 场区域，在所述衬底中，在所述第一有源区与所述第二有源区之间； 栅极结构，包括： 上部栅电极，与所述第一有源区重叠，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及 下部栅电极，与所述第二有源区重叠，在所述第二方向上延伸，并且与所述上部栅电极在相同线上； 栅极隔离层，在所述上部栅电极与所述下部栅电极之间； 源极漏极区，在所述上部栅电极的相应侧上； 接触跨接线，在所述第一有源区中，所述接触跨接线与所述上部栅电极交叉并将所述源极漏极区电连接；以及 第一上部触点，在所述场区域中在所述第二方向上延伸，并且与所述下部栅电极和所述栅极隔离层重叠， 其中，所述上部栅电极是虚设栅电极，并且 其中，所述第一上部触点和所述接触跨接线相对于所述衬底的主表面处于相同水平并且在所述第二方向上被层间绝缘层分离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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