深圳市新炬芯半导体有限公司杨东获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市新炬芯半导体有限公司申请的专利一种低导通电阻的高功率MOSFET器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224037823U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520751910.7，技术领域涉及：H10W76/10；该实用新型一种低导通电阻的高功率MOSFET器件结构是由杨东;徐韧;何建军设计研发完成，并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低导通电阻的高功率MOSFET器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种低导通电阻的高功率MOSFET器件结构，涉及MOSFET器件技术领域，包括器件主体、散热组件和防护组件，所述器件主体的下侧连接有引脚，且器件主体的左右两边均安装有散热组件，所述器件主体的外侧安装有防护组件，且防护组件包括防护罩框、通风槽、固定连框和磁吸板，所述防护罩框的内部等距离开设有通风槽，所述防护罩框的下侧一体化固定有固定连框。该低导通电阻的高功率MOSFET器件结构，器件主体与引脚构成低导通电阻的高功率MOSFET器件结构，防护罩框不使用时能够上滑设置于器件主体的外侧，对其起到一定的保护作用，使用时能够下滑防护罩框和固定连框，使其位于引脚的外侧，避免引脚弯折受损。
本实用新型一种低导通电阻的高功率MOSFET器件结构在权利要求书中公布了：1.一种低导通电阻的高功率MOSFET器件结构，包括器件主体1、散热组件8和防护组件9，其特征在于，所述器件主体1的下侧连接有引脚2，且器件主体1的左右两边均安装有散热组件8，所述器件主体1的外侧安装有防护组件9，且防护组件9包括防护罩框901、通风槽902、固定连框903和磁吸板904，所述防护罩框901的内部等距离开设有通风槽902，且通风槽902为矩形槽，所述防护罩框901的下侧一体化固定有固定连框903，且防护罩框901的上侧后壁固定有磁吸板904，所述器件主体1的后侧下方固定有限位板10。
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