台湾积体电路制造股份有限公司谢丰键获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224037741U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520163503.4，技术领域涉及：H10F39/18；该实用新型半导体装置是由谢丰键;郑允玮;胡维礼;李国政;吴振铭设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包含基板、多层金属化层、接触衬垫开口、接触衬垫、氧化物层及刻划线衬垫开口。基板具有前侧表面、后侧表面、及接触衬垫区。多层金属化层位于基板的前侧表面之下，且包括互连结构及层间介电层。接触衬垫开口在接触衬垫区中，自后侧表面之上穿过基板延伸至前侧表面之下的层间介电层的内部区域。接触衬垫自接触衬垫开口延伸至互连结构。氧化物层位于接触衬垫上方。刻划线衬垫开口穿过氧化物层至接触衬垫。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含： 一基板，具有一前侧表面、一后侧表面、及一接触衬垫区； 一多层金属化层，位于该基板的该前侧表面之下，且包括一互连结构及一层间介电层； 一接触衬垫开口，在该接触衬垫区中，自该后侧表面之上穿过该基板延伸至该前侧表面之下的该层间介电层的一内部区域； 一接触衬垫，自该接触衬垫开口延伸至该互连结构； 一氧化物层，位于该接触衬垫上方；及 一刻划线衬垫开口，穿过该氧化物层至该接触衬垫。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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