台湾积体电路制造股份有限公司洪道一获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224037735U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520473190.2，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型半导体装置是由洪道一;林文杰;李介文;陈国基设计研发完成，并于2025-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包括具有前侧及后侧的基板、位在基板的前侧上的第一P‑I‑N二极管、位在基板的后侧下的第一终端、多个前侧导电层，以及多个后侧导电层。多个前侧导电层位在第一P‑I‑N二极管上并且电连接第一P‑I‑N二极管。多个后侧导电层位在基板的后侧下并且电连接第一终端，第一终端通过多个后侧导电层及至少一个通孔电连接第一P‑I‑N二极管。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一基板，具有一前侧及一后侧； 一第一P-I-N二极管，位在该基板的该前侧上； 一第一终端，位在该基板的该后侧下； 多个前侧导电层，位在该第一P-I-N二极管上并且电连接该第一P-I-N二极管；以及 多个后侧导电层，位在该基板的该后侧下并且电连接该第一终端； 其中，该第一终端通过多个所述后侧导电层及该基板中的至少一通孔电连接该第一P-I-N二极管。
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