台湾积体电路制造股份有限公司刘俊佑获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224037733U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520106097.8，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体结构是由刘俊佑;邱宗凯;石哲齐;杨固峰;廖思雅设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构包括第一半导体片、第二半导体片、第一高介电常数介电层、第二高介电常数介电层、第一金属栅极、多个第一磊晶结构以及多个第二磊晶结构。第二半导体片位于第一半导体片上方。第一高介电常数介电层环绕第一半导体片，其中第一高介电常数介电层具有偶极掺杂剂。第二高介电常数介电层环绕第二半导体片，其中第二高介电常数介电层不含偶极掺杂剂。第一金属栅极环绕第一高介电常数介电层以及第二高介电常数介电层。多个第一磊晶结构位于第一半导体片的相对的多侧多个第二磊晶结构位于第二半导体片的相对的多侧。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一第一半导体片； 一第二半导体片，位于该第一半导体片上方； 一第一高介电常数介电层，环绕该第一半导体片，其中该第一高介电常数介电层具有一偶极掺杂剂； 一第二高介电常数介电层，环绕该第二半导体片，其中该第二高介电常数介电层不含该偶极掺杂剂； 一第一金属栅极，环绕该第一高介电常数介电层以及该第二高介电常数介电层； 多个第一磊晶结构，位于该第一半导体片的相对的多侧，其中该第一半导体片、该第一高介电常数介电层、所述多个第一磊晶结构以及该第一金属栅极的一第一部位形成一底层晶体管；以及 多个第二磊晶结构，位于该第二半导体片的相对的多侧，其中该第二半导体片、该第二高介电常数介电层、所述多个第二磊晶结构以及该第一金属栅极的一第二部位形成一顶层晶体管。
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