台湾积体电路制造股份有限公司安娜·拉杜获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224037732U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520227412.2，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体装置是由安娜·拉杜;江宏礼;韩鸿骐;王哲夫;高塔姆·阿鲁哲凡;郑兆钦设计研发完成，并于2025-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型实施例涉及一种半导体装置，其包含具有第一前侧及与第一前侧相对的第一背侧的第一衬底。半导体装置包含第一前侧上方的第一源极漏极SD构件。半导体装置包含第一SD构件之间的第一阻障栅极及第一柱塞栅极，其中第一柱塞栅极界定第一量子位区。半导体装置包含具有第二前侧及与第二前侧相对的第二背侧的第二衬底。半导体装置包含第二前侧上方的第二SD构件。半导体装置包含第二SD构件之间的第二阻障栅极及第二柱塞栅极，其中第二柱塞栅极界定沿着第一方向与第一量子位区对准的第二量子位区。半导体装置包含沿着第一方向在第一背侧与第二背侧之间延伸的掺杂阱。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于其包括： 第一衬底，其具有沿着第一方向分离的第一前侧及第一背侧； 第一源极漏极构件，其在所述第一前侧上方； 第一阻障栅极，其在所述第一前侧上方所述第一源极漏极构件之间； 第一柱塞栅极，其沿着垂直于所述第一方向的第二方向相邻于所述第一阻障栅极，所述第一柱塞栅极界定所述第一前侧上方的第一量子位区； 第二衬底，其具有沿着所述第一方向分离的第二前侧及第二背侧； 第二源极漏极构件，其在所述第二前侧上方； 第二阻障栅极，其在所述第二前侧上方所述第二源极漏极构件之间； 第二柱塞栅极，其相邻于所述第二阻障栅极，所述第二柱塞栅极界定所述第二前侧上方的第二量子位区，所述第二量子位区沿着所述第一方向与所述第一量子位区对准；及 掺杂阱，其沿着所述第一方向在所述第一背侧与所述第二背侧之间延伸。
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