深圳市创飞芯源半导体有限公司杨旭刚获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市创飞芯源半导体有限公司申请的专利一种高压MOSFET器件的终端结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224037730U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520412954.7，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种高压MOSFET器件的终端结构是由杨旭刚;霍颖颖设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高压MOSFET器件的终端结构在说明书摘要公布了：本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种高压MOSFET器件的终端结构，包括高掺杂N型基底、低掺杂N型漂移区及元胞区，元胞区内设置有核心总成；环绕于元胞区外围的终端保护区；终端保护区内设置有多个沟槽，沟槽内部填充有绝缘材料，绝缘材料沿着沟槽底部至沟槽顶部呈逐渐增厚的梯度结构；本实用新型实现了电场分布的优化与高效电流传输的双重提升，低掺杂N型漂移区与终端保护区内逐渐增厚梯度结构的绝缘材料沟槽相结合，有效减少了电场集中，避免了击穿风险，此外，缓变结P型阱区的设置确保了电流在器件内部的高效传输，并通过掺杂浓度和结深的平滑变化，在器件边缘形成了平滑过渡的电场分布，进一步降低了击穿可能性。
本实用新型一种高压MOSFET器件的终端结构在权利要求书中公布了：1.一种高压MOSFET器件的终端结构，其特征在于，包括： 包括高掺杂N型基底1； 设于所述高掺杂N型基底1上的低掺杂N型漂移区2； 设于低掺杂N型漂移区2上的元胞区3，所述元胞区3内设置有核心总成； 所述核心总成包括： 栅极4，所述栅极4的外表面设置有绝缘层5，所述绝缘层5将栅极4及低掺杂N型漂移区2之间分隔，形成控制栅极4与漂移区之间电流通道的绝缘屏障； 源极6，所述源极6的输入端与低掺杂N型漂移区2相连接，形成电流输入端口； 漏极7，所述漏极7的输出端与低掺杂N型漂移区2的另一端相连接，形成电流输出端口； 环绕于所述元胞区3外围的终端保护区8； 所述终端保护区8内设置有多个呈平行排列分布的沟槽9，所述沟槽9内部填充有绝缘材料，所述绝缘材料沿着沟槽9底部至沟槽9顶部呈逐渐增厚的梯度结构。
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